fhp8n60场效应管参数

FHP8N60场效应管参数

FHP8N60 是一款 N 沟道场效应晶体管（MOSFET），以下是它的主要参数：

漏源电压 （Vds） ：600V

漏极电流 （Id） ：8A

漏源导通电阻 （RDS（on）） ：最大 1.2Ω（在 VGS = 10V 时）

栅源电压 （Vgs） ：±30V

栅极电荷 （Qg） ：低电荷

反向传输电容 ：低

开关速度 ：快

封装形式 ：TO-220/TO-220F/TO-262/TO-263

工作温度范围 ：通常为 -55°C 到 +150°C

最大耗散功率 ：未明确提供，但需根据实际应用环境考量

FHP8N60 适用于多种电子设备，如家用电器、3C数码产品、汽车电子、测量仪器、智能家居、网络通信、安防设备、广电教育、医疗电子、照明电子、可穿戴设备和物联网IoT等。

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